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金點言論 2026年2月26日 下午2:16:25

1納米精度!中國突破晶體管極限 助力未來AI芯片

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導語

最近,中國科學家團隊研發(fā)出世界上最小、能效最高的晶體管,這一突破有望成為下一代高性能人工智能硬件的基石。

最近,中國科學家團隊研發(fā)出世界上最小、能效最高的晶體管,這一突破有望成為下一代高性能人工智能硬件的基石

1納米精度!中國突破晶體管極限 助力未來AI芯片

這種晶體管叫鐵電場效應晶體管,簡稱FeFET。FeFET的工作原理有點像人腦里的神經元,把存儲和處理功能都集成在一個小小的單元里。這樣一來,數據傳輸時間就大大減少了,效率自然就上去了。

在傳統(tǒng)的半導體芯片里,數據存儲和計算是分開的,就像兩個人在不同的房間里工作,要交流還得隔著墻喊話,效率肯定受影響。而北京大學電子學院邱晨光-彭練矛團隊成功將鐵電晶體管物理柵長縮減至1納米極限,制備了迄今尺寸最小、功耗最低的鐵電晶體管。

據《科技日報》報道,這個設計解決了FeFET長期存在的老毛病,比如能耗太高、電壓不匹配這些問題,為大規(guī)模應用掃清了障礙。邱晨光教授表示:“FeFET 的內存計算能力與人工智能芯片的未來發(fā)展方向高度契合。

1納米精度!中國突破晶體管極限 助力未來AI芯片

當今人工智能發(fā)展飛速,全世界對計算能力的需求都在暴漲。要提升計算能力,一般有兩種思路:要么把芯片做得更大更快,要么改變芯片的“思維方式”。咱們中國科學家走的是第二條路,因為這個FeFET確實很特別——兼具存儲和計算能力

不過,FeFET有個頭疼的問題:數據寫入和擦除需要大約1.5伏的電壓,而現代邏輯電路通常都在0.7伏以下工作。這就好比一扇特別厚重的門,雖然結實,但推起來特別費勁。

邱教授的團隊就利用先進的加工技術,改進了晶體管的結構,把柵極電極的尺寸縮小到了只有1納米,實現了原子級的精度。邱教授解釋說:“這樣就能在鐵電層內形成強電場,讓FeFET能夠在低至 0.6 伏的電壓下以極低的外部能量工作?!?/p>

更厲害的是,這種納米柵FeFET的能耗只有國際上報道最低能耗值的十分之一,它還支持高速存儲操作,響應時間快至 1.6 納秒。這速度,眨個眼的時間它都能完成上億次操作了。

這項技術已經申請了專利,代表著咱們完全獨立的知識產權。邱教授表示,這是國際上第一次發(fā)現FeFET器件在尺寸縮小時展現出意想不到的優(yōu)勢,證明了它在構建未來亞納米節(jié)點芯片方面的巨大潛力。

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